李树深，中国半导体器件物理专家。中国科学院半导体研究所研究员。生于河北保定，原籍河北保定。1983年毕业于河北师范大学，1989、1996年先后在西南交通大学和中国科学院半导体研究所获硕士和博士学位，2011年当选中国科学院院士。博士，研究员、博士生导师，国家杰出青年基金获得者， 国家创新研究群体“半导体低维结构中的量子调控”学术带头人，国家重大科学研究计划项目（973项目）首席科学家，入选国家级“新世纪百千万人才工程”，中国电子学会高级会员，享受国务院政府特殊津贴，国家自然科学基金委第11、12届专家评审组成员。
1979年入河北师范大学物理系学习，1983年毕业。1983年至1993年在河北师范大学物理系工作。1989年先后在西南交通大学获硕士学位。1994年考取中科院博士研究生，1996年在中国科学院半导体研究所获博士学位。
曾先后在日本NEC电器株式会社筑波研究所、意大利国际理论物理中心和香港科技大学物理系进行光电子器件相关性能预测研究。现任中国科学院半导体研究所副所长，半导体超晶格国家重点实验室主任，《半导体学报》常务副主编，《Nanoscale Research Letter》、《中国科学G辑：物理学 力学 天文学》中英文刊、《物理学进展》、《物理》、科学出版社《半导体科学与技术》专著丛书编委，多种国内外核心期刊特约评审，黄昆半导体物理科学奖（基金会）秘书长。先后参加和主持国家八五、九五攀登计划、国家重大基础研究计划项目（973项目）及国家自然科学基金委和中国科学院重大、重点项目多项，2004年和2009年两次获国家自然科学二等奖。
近年来，在包括美国科学院院刊和美国物理评论快报在内的国内外重要学术期刊发表论文150余篇，研究工作被国际同行广泛引用（其中包括国际著名半导体物理专家的综述性论文），并被写入专著。主要研究方向包括：低维半导体物理及器件、光电子器件性能预测、固态量子信息。
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